ATROTZEZATRA DI RiVESTERO PER SPUTTERING AL PLASMA ATTOLA VUOTO: ATROZEATURA CENTRALE CHE CONSENTE LA METALLZAZIONE DEL SUBSTRATO CERAMICO DPC

L'attrezzatura per il Rivestimento del substrato a Ceramica un semiconduttore Adotta il Principio di Erato Sputtering del Plasma di Campo Elettrico, inietta una Piccola quantita di alta di una diga. Mistose ioni argon ad alta energia sanno accelerati e bombarranno il materiale bersaglio in una direzione, in Modo che gli Atomi sella Superficie del Materiale Bersaglio Siano "Sputati" E Depositati Unitem Unitememe Sulta Suostrato Substrato, Materdo Uso Strato di Strato di Strato "Sputati" E DepositAti Unitememene SULLA SULLA DEL SUBSTRATO SUBSTRATO CERAMICO, FORNIA DI UNO STRO STANO "Sputati" e Depositati Unitememene SULLA SULLAFE DEL SUBSTRATO SUBSTRATO CERAMICO, FORNIA DI UNO STRATO DI STANO "Sputati" e Depositati UnitemmentEnEmene SULLA SULLAFE DEL SUBSTRATO DEL Rame-Metallo con una struttura densa e una forte adesione.
ATTERZATURA per Rivestimento a Ceramica un semiconduttore È una pre-link chiave nella tecnologia di elaborazione del substrato ceramico dpc, la base di solda di gettando una per la produzieone successiva di circuiti, il trasferimento grafico e l'Integrazione FunZionale. Attraverso la Deposizione di Strati Metallici ad alta Precision, il substrato ceramico non da solo sfregando una conducibilità, ma anche una stabilità termica più forte e una resistenza meccanica, soddisfacendo il completamento i remititi re -chicca dita a fase di richiamo 5G, Eletronica Automobilistica e Moduli di Potenza per Le Prestazione del Sottolstrato.
Durente il Processo di Deposizione Dello Strato Di Metallo, qualsiasi Impurità Influenà Seriament la Stabilità Struttule, Le Proprietà Elettriche e l'Adesione Dello Dello Strato Depositato. Pertanto, Questat Attrezzatura è dotata di un Alto Sistema di Camera di Imbalaggio Sotto Vuoto e il Grado di Vuoto Può Raggiungere il Livello di 10⁻⁵ Pa. Attraverso il Collegamento Della Pompa molecolare ad alta Efficienza e Della Pompa meccanica per lo Scarico, La Struttura di Tenuta a Più Strati, La Perdita di Gas è prevenuta, la Pareta di Interna Della telecamera è Lucidata E I Residui Di Adsorbimento Sonotti, a Modotta, la Purezza, la Purezza, la fotocamera della fotocamera è Lucidata e i Residui di Adsorbimento Sonotti, a Modotta, la Purezza, la Purezza della telecamera è Lucidata e i Residui di Adsorbimento Sonatti, a Modotta, la Purezza, la Purezza della telecamera è Lucidata e i Residui di Adsorbimento SONOTTI, a PUROTUATER, la PUROZZA PUROZZA Del'ambiente di Deposizione e di Una reazione di Ossidazione. Substrati per dispositivo ad alta Potenza con requesiti Estremmente Elevati per Purezza e Coerenza.
Questa ricerca apparita Adotta un Sistema di Sorgente di ioni Plasmatica controrata Dalla Precisione, Che Può Regolare Automaticame in base a base un target materiale diversificato, bersaglio di spessore, forma e posizione del substrato. Questa struttura di sorgente ionica altamente controllabile può ottenere una distribuzione di sputtering più uniforme degli atomi di metallo, garantendo che l'uniformità dello spessore e l'errore di coerenza della superficie dello strato composito metallico sulla superficie dell'intero substrato ceramico sia Inferiore a ± 3%, che è particolarment adatto per la produzieone stabile di substrati di ceramica una dimensione Grande o una forma di Speciale.
Al Fine di Sodisfare Le esigenze di Elaborazione dI Clienti per substrati ceramici di diversi Specifiche, l'attrezzatura per Rivestimento a Substrato di Ceramica un semicondutture Adotta un design Della struttura Modulare, che puda Sostituire in Modo Flessibile Del ATTUSTATE DEATTA DEL ESPANSIONE SUPPORTA UN Layout Parallelo A Doppia Stazione O Multi-Cavità.
IL SISTEMA DI CONTROLO PUò PEIMPOSTARE UNA VARIETÀ DI PARAMETRI DI PROCESSO E CAMBIARE RAPIDAMENTE I LOTTI DI Prodotto. Questa struttura non solista migliora la flessibiliza uorle dellet Attrezzatura, ma riduce notovolmente i tempi di regolazionde della maccina e i costi di intervento manuale durente la commutazione dei modelli di prodti. È Molto Adatto per L'Oem, La Produzione di Ricerca Scientifica e gli Ambiente di Produzione Compatibili in Materia di Produzione di Massa e Paralleli.
Le Pareacqueatura di Alimentazione del Rivestimento per il Rivestimento del Sottostrato a Ceramica A Semiconduttore Adotta la Logica di Controlo Del Controlo Dell'energia di Alimentazione ad alta Efficienza e Il consumo di Energia è ridotto del 15% -30% di allegati di Allezionali di Allezionali di Plautatura di Plaucata. Allo stesso tempo, ha un un meccanismo di ottimizzazione automatico e ottimizzazione di standby, Regolazione automatica di Potenza Dopo la Stabilizzazione del processo e riduzione del consumo di Energia Eccessivo. La configurazione opzionale di collegamento multi-cavithà può ottenere una produzione continuo ininterrotta 24 minerali. È un paricolarment adatto per i Clien Della produzione di Massa del substrato in ceramica che sono Sonoibili al consumo di energia in USCITA UNITARIA E HANNO REQUISITI ELETATI PER L'EFICINZA DEL BATTITO, VENI NUOVI VEICOLI ENCETICI, ATTRITZATERA DI COMUFIONE 5 Alimentazione.